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高硅鑄鐵陽(yáng)極氫離子水中性能

發(fā)布時(shí)間:2021-03-03人氣:30

     高硅鑄鐵陽(yáng)極于1954年首次出現(xiàn)在陽(yáng)極材料中,雖然這種材料在淡水環(huán)境中作用良好,但在海水中卻存在嚴(yán)重的小孔腐蝕。隨著合金技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,1959年被加入到其中以求改善陽(yáng)極在含氫離子水中性能。

   當(dāng)高硅鑄鐵被作陽(yáng)極時(shí),在陽(yáng)極表面上形成一層二氧化硅薄膜,氧化膜的形成可以減小氧化作用引起的材料損失效率,雖然二氧化硅一般被認(rèn)為是電阻率非常高的絕緣材料,但是,在潮濕條件下形成陽(yáng)極上時(shí),該氧化物膜多孔且具有半導(dǎo)電性。這就使得陽(yáng)極可以繼續(xù)排放電流,而接觸電阻沒(méi)有明顯增加。然而,在低水分條件下二氧化硅膜的電阻率隨著時(shí)間而增加,進(jìn)而有效地限制了電流排放。

高硅鑄鐵合金由于硬度較大,對(duì)河流、沖擊或空化作用引起的侵蝕利磨損具有一定的抵抗力。雖然該陽(yáng)極可以抵抗酸侵蝕,但高PH酸根離子的環(huán)境中,陽(yáng)極消耗率會(huì)增加。最后,考慮到對(duì)二氧化硅膜的電阻率的影響,也應(yīng)當(dāng)避免干土壤條件。


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